Низкая пластическая полировка деталей с титановым покрытием

Технология записи

Процесс осаждения материалов на основе титана в настоящее время находится в стадии разработки. Например, электронно-лучевое физическое осаждение из паровой фазы (EBPVD) может использоваться для формирования покрытия из сплава Ti или структурного конденсата на подложке с таким же или другим номинальным составом. Эти технологии могут использоваться в авиационной и аэрокосмической промышленности для ремонта поврежденных или изношенных деталей, таких как компоненты газотурбинного двигателя (такие как лопасти, ковши, уплотнения и т. Д.).

Однако дефекты осаждения могут потенциально угрожать целостности конденсата. При попадании капель материала на подложку или на накопившийся конденсат возникает ряд таких дефектов. Такие дефекты обычно называют" spts" ;. Расплавленная ванна может содержать добавки, которые не предназначены для испарения и накопления в конденсате. Например, патент США № 5, 474, 809 раскрывает, что огнеупорные элементы находятся в ванне расплава. Заявка. Как только капля упадет на поверхность (субстрат или накапливающийся конденсат), она будет образовывать многочисленные отложения на поверхности капли и прилегающих поверхностях. По бокам капли, из-за противоположной стороны ориентации капли, могут быть разрывы в микроструктуре накопленного материала. По мере накопления большего количества материала эти разрывы могут продолжаться до тех пор, пока не будет сформирована конечная поверхность конденсата.

Краткое описание изобретения

Покрытия на основе Ti могут иметь встроенные дефекты. Дефекты могут привести к одной или нескольким структурным слабостям покрытия и покрытых деталей. Покрытие полируется, чтобы обеспечить остаточное напряжение сжатия, чтобы смягчить одну или несколько из этих структурных слабостей.

Детали одного или нескольких вариантов осуществления настоящего изобретения изложены на чертежах и в следующем описании. Другие признаки, цели и преимущества настоящего изобретения будут очевидны из ясного текста, чертежей и формулы изобретения.